Научный коллектив Столичного муниципального ВУЗа электронной техники придумал способ получения нанопористого оксида алюминия, который разрешает делать несколько современнейших которые были использованы для полупроводниковых устройств, а именно фотонные кристаллы. Именно в данный момент полупроводниковые приборы микроэлектроники делаются основным образом способом оптической литографии – всепригодным методом получения изображения составляющим микросхемы на кристалле полупроводника.

Впрочем литографические способы очень дороги, становление их замедляется вблизи физических и тех. ограничений. В следствии этого сегодня энергично развиваются способы, базирующиеся на применении самоорганизации и самоформирования.

1 из таковых способов – нанопрофилирование (творение рельефа плоскости с наноразмерными деталями) полупроводников маршрутом их плазменного травления с применением твёрдой маски пористого анодного оксида алюминия. Наглядно данный интересный научный процесс можнож предположить так: набросок с полимерного светочувствительного мат-ла переносится на сообразные слои полупроводниковой текстуры, по ходу удаляются немаскированные участки полимера (фактически, данный способ и величается травлением). Для оптимизации данного процесса в текстуру маски с применением оксида алюминия вводят железный подслой, а именно деликатную плёнку титана. Впрочем сейчас в научной литературе сведены к минимуму эти, дозволяющие собрать рациональные плодотворные характеристики двухслойной твёрдой маски и осуществлять контроль процесс нанопрофилирования полупроводников с её применением.

Для решения данной трудности учёные из Столичного муниципального ВУЗа электронной техники под управлением А. Н. Белова изучали процесс творения твёрдой маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния.

В виде начальных изыскатели подобрали кремниевые пластинки, на которые при помощи магнетронного разбрызгивания сделали послойно плёнки титана шириной от 10 до 50 нм и алюминия шириной 2 мкм. Двухстадийным анодированием (анодирование – химическое окисление алюминия имея цель образования на его плоскости оксида сплава) дюралевой плёнки сформировали маску пористого оксида алюминия. Далее приобретенные текстуры подвергали обработке в установке ионного травления в среде аргона. С внедрением методичного и поэтапного анализа текстур выявляли их состояние на различных стадиях процесса анодирования, и еще в последствии их бомбардировки нейтральными частичками аргона.

Творцы обозначили подходящее время анодирования для существа действенной твёрдой маски пористого оксида алюминия, обнаружили подходящую толщину дополнительного подслоя титана. Также, они продемонстрировали, собственно при плазменном травлении кремния через маску оксида алюминия латеральные объемы углублений в кремнии находятся в зависимости от аспектного дела пор оксида алюминия. Учёным в процессе этих изысканий получилось достичь таковых критерий, при которых нанопрофилирование кремниевой подложки проходит так, собственно углубления в ней наверняка повторяют набросок пор твёрдой маски оксида алюминия.


Нет комментариев к записи “Новый метод получения нанопористого оксида алюминия
Оставьте свой комментарий:

Полное имя

Адрес e-mail (без публикации)


Комментарии из соц. сетей:
Просмотров: 348
Поставь оценку!
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд
Loading ... Loading ...

Mygeog.ru © 2009 - 2016